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在AI狂潮中，CoWoS等先進封裝技術獲得了市場的廣泛關注，但基于3D小芯片技術的智能手機AP預計要在2025年之后才能起飛。

隨著摩爾定律接近物理極限，以及愿意承擔3nm以下先進工藝高成本的大客戶數量有限，晶圓級SiP和邏輯芯片3D堆疊的概念正在成為下一個重要趨勢。

消息人士稱，與在單個節點上制造整個SoC相比，隨著晶圓堆疊技術的成熟，基于Chiplet技術構建芯片更容易，產量更高，成本控制也更好。同時，除了由單一制造商制造和封裝先進芯片外，這種分工還可以應用于SoIC，代工廠采用先進制造技術制造芯片，FCBGA后端封裝可以由OSAT（外包半導體封裝和測試）完成。

據消息人士透露，PC和筆記本電腦中使用的基于SoIC（單線集成電路小輪廓封裝）技術的CPU后端封裝可以外包給OSAT，因為后端制造需要與基板相關的FC（倒裝芯片）封裝，但使用SoIC技術的智能手機AP則并非如此。

在2020-2022年左右，聯發科和高通曾向臺積電詢問是否使用不帶DRAM的InFO技術，臺積電針對其需求推出了Bottom Only InFO_B。盡管如此，該技術仍處于開發階段，尚未商業化。

熟悉移動AP的業內人士表示，無論是臺積電InFO還是Fan-out PoP封裝，安靠、日月光、長電科技都可以做，已經基本成熟，跳躍的空間有限。此外，與Fan-out封裝相比，FC PoP封裝成熟且具有成本效益。

對于OSAT來說，Fan-out封裝的生產經驗和成本競爭力不如晶圓代工廠，這也是各大IC設計公司尚未引入該技術生產芯片的原因之一。

由于當前智能手機低迷、庫存高企、成本上升等負面因素，引入Fan-out封裝并不務實，更不用說3D芯片了，更沒有理由在智能手機中引入3D Chiplet AP。

盡管如此，從中長期來看，智能手機AP采用先進封裝是必然趨勢。預計到2026-2027年，臺積電SoIC產能將增長20倍，首先應用于PC和筆記本CPU，然后采用InFO封裝的3D芯片引入智能手機AP。蘋果和臺積電有望引領這一趨勢。